WR1002JLED,兩路分配輸出,1.2GHz,光AGC,電調(diào)衰減均衡,砷化鎵功率倍增放大模塊,最大輸出電平114dBμV,DFB激光器,支持應答器。
* 5 ~ 1218MHz, 頻率分割可選。
* 光AGC控制范圍:+2~ -9dBm。
* 最大輸出電平≥ 114dBμV
* 砷化鎵功率倍增輸出,兩路分配或分支輸出。
* 高性能DFB激光器。
* NPR動態(tài)范圍:≥ 15dB(DFB),NPR≥ 30 dB。
* 支持國標II類應答器。
* 超薄型,厚度僅為75mm。
| 項 目 | 單 位 | 技 術(shù) 參 數(shù) | |||
| 光 學 參 數(shù) | |||||
| 接收光功率 | dBm | -9 ~ +2 | |||
| 光反射損耗 | dB | >45 | |||
| 光接收波長 | nm | 1100 ~ 1600 | |||
| 光連接器類型 | 
 | FC/APC、SC/APC或由用戶指定 | |||
| 光纖類型 | 
 | 單 模 | |||
| 鏈 路 性 能 | |||||
| C/N | dB | ≥ 51(-1dBm輸入時) | |||
| C/CTB | dB | ≥ 65 | 輸出電平108 dBμV 均衡8dB時 | ||
| C/CSO | dB | ≥ 60 | |||
| 射 頻 參 數(shù) | |||||
| 頻率范圍 | MHz | 45 ~862/1003 | |||
| 帶內(nèi)平坦度 | dB | ±0.75 | |||
| 標稱輸出電平 | dBμV | ≥ 108 | |||
| 最大輸出電平 | dBμV | ≥ 114 | |||
| 輸出反射損耗 | dB | (45 ~550MHz)≥16/(550~1003MHz)≥14 | |||
| 輸出阻抗 | Ω | 75 | 75 | ||
| 電控均衡范圍 | dB | 0~15 | 0~15 | ||
| 電控衰減范圍 | dBμV | 0~15 | 0~15 | ||
| 反 向 光 發(fā) 射 部 分 | |||||
| 光 學 參 數(shù) | |||||
| 光發(fā)射波長 | nm | 1310±10、1550±10或用戶指定 | |||
| 輸出光功率 | mW | 0.5、1、2 | |||
| 光連接器類型 | 
 | FC/APC、SC/APC或由用戶指定 | |||
| 射 頻 參 數(shù) | |||||
| 頻率范圍 | MHz | 5 ~ 65(或由用戶指定) | |||
| 帶內(nèi)平坦度 | dB | ±1 | |||
| 輸入電平 | dBμV | 72 ~ 85 | |||
| 輸出阻抗 | Ω | 75 | |||
| NPR動態(tài)范圍 | dB | ≥15(NPR≥30 dB) 使用DFB激光器 | ≥10(NPR≥30 dB) 使用FP激光器 | ||
| 一 般 特 性 | |||||
| 電源電壓 | V | A:AC(150~265)V;B:AC(35~90)V | |||
| 工作溫度 | ℃ | -40~60 | |||
| 儲存溫度 | ℃ | -40~65 | |||
| 相對濕度 | % | 最大95%無冷凝 | |||
| 功 耗 | VA | ≤ 30 | |||
| 外形尺寸 | mm | 280(L)*260(W)*70(H) | |||